توضیحات:پاورپوینت ارائه کلاسی رشته برق با موضوع بررسی تکنولوژی SOI در ساخت ترانزیستورها، در حجم 7 اسلاید، شامل توضیحات و تصاویر.این فایل به بررسی ساختار تکنولوژی SOI، ویژگی های آن وکاربردهای این تکنولوژی می پردازد.بخشی از متن:در ویفرهای SOI ترانزیستورها در لایه نازکی از سیلیکون که توسط لایه ای از عایق از بدنه اصلی ویفر جدا میشود، واقع شده اند.ضخامت لایه سیلیکونی، بسته به کاربرد آن (کلید زنی الکترونیک قدرت یا میکروپروسسور) می تواند از حدود 500 انگستروم تا چندین میکرون تغییر کند.ضخامت لایه جداکننده (BOX)، می تواند تا چندین هزار انگستروم باشد.فهرست مطالب:ساختار تکنولوژی SOIویژگی های تکنولوژی SOIکاربردهای تکنولوژی SOIقفل شدگیخازن های نفوذ با SUBSTRATESoft Errors
راهنمای استفاده
مناسب برای دانشجویان و علاقمندان رشته های مهندسی برق و ...
محتوای فایل دانلودی
فایل پاورپوینت و قابل ویرایش